电路装配、硅氧与半导体
从基础电路和焊料备料讲到镁循环、多晶硅、砷化镓、润滑油、晶圆与 ULPIC，核算整批产出。
文章目录11 节
LV 中期建立电路与硅原料线，MV 早期打通晶圆和 ULPIC 芯片。切割先用水，润滑油后补。
LV 中期：电路与循环原料
电路：先做基础，再装配进阶
首台电路装配机用工作台电路制造；建好后按下表批量装配。
| 产品 | 一批物品输入 | 焊料任选一种 | 原始参数 |
|---|---|---|---|
| 基础电子电路，IC2 电子电路，LV 级 | 1 电路板（Circuit Board）+ 2 电阻 + 2 根 1x 红色合金导线 + 2 真空管 | 72 L 焊锡合金 / 144 L 锡 / 288 L 铅 | 15 EU/t，10 秒，产 1 个 |
| 进阶电子电路（Good），MV 级 | 1 优质电路板（Good Circuit Board）+ 2 上一行电子电路 + 2 二极管 + 2 根 1x 铜导线 | 同上 | 30 EU/t，15 秒，产 1 个 |
输入用 1x 裸导线和加工完成的电路板：基础电路用 Circuit Board，进阶用 Good Circuit Board。按 NEI 图标备料。 CoreMod 固定版本电路装配 · 固定版本英文物品名
示范：从零备齐 16 个进阶电子电路。 先做 32 个基础电路，再升级 16 次，物料合计如下；不包含制造电阻、真空管等元件的更上游用料。
| 备料 | 数量 | 去向 |
|---|---|---|
| 电路板（Circuit Board） | 32 | 先做基础电路 |
| 电阻、真空管 | 各 64 | 先做基础电路 |
| 1x 红色合金导线 | 64 | 先做基础电路 |
| 优质电路板（Good Circuit Board） | 16 | 升级进阶电路 |
| 二极管、1x 铜导线 | 各 32 | 升级进阶电路 |
| 熔融焊锡合金 | 3456 L，即 24 锭当量 | 48 次装配合计；若全用锡则 6912 L，全用铅则 13824 L |
32 次基础装配和 16 次进阶装配未超频共需 560 秒。
焊料供应：有锑时把锡做成焊锡合金
焊锡合金： 搅拌机电路 1，9 锡粉＋1 锑粉→10 合金粉，7 EU/t、5 秒。烧锭后熔化，接电路装配机专用罐；144 L 按一锭计算。 固定版本焊锡合金混合
有锑就用焊锡合金，没有就先用锡。上面一单需 24 锭当量焊锡合金，从零混三批得 30 粉，余料留存；换焊料前抽空旧液。 焊料倍率生成规则 · 锡/铅/焊锡合金材质标记
硅氧线：用镁循环把二氧化硅变成硅与氧
1 台 LV 化反＋1 台 LV 电解机＋2 镁粉启动，持续产硅和氧。
| 步骤 | 机器 | 输入 → 输出 | 原始参数 |
|---|---|---|---|
| A | 化学反应釜 | 3 二氧化硅粉 + 2 镁粉 → 1 生硅粉 + 4 苦土粉 | 7 EU/t，5 秒 |
| B | 电解机 | 2 苦土粉 → 1 镁粉 + 1000 L 氧 | 30 EU/t，2 秒（通用分解配方） |
A 跑一次，B 跑两次，镁回收为 2 粉，正好返回 A。镁是启动库存，二氧化硅才是净投入，净产物为生硅与氧。二氧化硅可用电解机处理 8 沙 → 3 二氧化硅粉，原始 25 EU/t、25 秒，无需配置电路。前期把采集的沙分批投入电解，后续再接自动供沙。
二氧化硅 ─→ 化反 A ──苦土──→ 电解 B ──氧──→ 氧罐
↑ │
└──────镁回流──────┘
└──生硅──→ 半导体线
物品过滤分三路：苦土去电解，镁回化反，生硅进成品箱；氧接罐。
LV 化反每 5 秒出 4 苦土，电解处理需 4 秒，一台对一台即可。 RC-2 镁还原配方 · 中文氧产线
多晶硅：两台 LV 化反，盐酸与容器闭环
把生硅加工成太阳能级硅粉（多晶硅粉），再用它拉单晶硅、切晶圆。
| 机器 | 输入 | 输出 | 原始参数 |
|---|---|---|---|
| 化反 A | 1 生硅粉 + 2 空单元 + 3000 L 盐酸 | 2 氢单元 + 1000 L 三氯硅烷 | 30 EU/t，15 秒 |
| 化反 B，电路 1 | 2 氢单元 + 1000 L 三氯硅烷 | 1 太阳能级硅粉 + 2 空单元 + 3000 L 盐酸 | 30 EU/t，15 秒 |
启动材料： 两台 LV 化反、3000 L 盐酸、2 个空单元、生硅粉。第一步自己产生氢单元，不需要额外放一罐氢来启动。
A 的三氯硅烷和氢单元送 B；B 的盐酸和空单元回 A，多晶硅进成品箱。两台各供足 30 EU/t，先跑一轮再接自动物流。
盐酸罐只接本线，公共仓储只取多晶硅。 RC-2 两步硅配方
中文扩展：太阳能级硅（多晶硅）。该页另列四氯化硅法，可与本节的三氯硅烷路线比较。
两台化反同时工作，需要两份周转库存
只放 3000 L 盐酸 + 2 空单元 时，A 先运行 15 秒，材料转到 B 后再运行 15 秒，整轮 30 秒产 1 多晶硅。两台机器轮流工作。
要把两段接成流水，准备 6000 L 盐酸 + 4 空单元：第一份经 A 处理后交给 B，A 立即用第二份开下一批；此后 B 返回的酸和空单元接续供给 A。两台 LV 化反都连续运行时，稳定每 15 秒出 1 多晶硅，同时耗电 60 EU/t。多出来的启动库存提高吞吐，循环的净耗酸仍为零。
MV 早期：晶体、晶圆和芯片
镓与砷化镓：补上半导体的前端
闪锌矿粉交 LV 电解机提镓。 2 粉→1 锌粉＋1 硫粉＋9.17% 概率的 1 镓粉，30 EU/t、10 秒。 固定版本闪锌矿电解
60 闪锌矿粉的镓期望产量约 2.75 粉；按实得镓安排电路订单。
砷从辉钴矿等含砷矿物处理取得。EBF 用 1 镓粉＋1 砷粉→1 砷化镓晶体，1511 K、120 EU/t、60 秒；机器锻造锤再用 1 晶体→4 小型晶体，4 EU/t、2.5 秒。小型晶体留拉单晶，另给二极管留料。 CoreMod 砷化镓注册 · 固定版本晶体拆分 · 含砷原料与阶段用途
润滑油：留杂酚油给切割机
切割先用水，想提速再换润滑油。 焦炉杂酚油留一罐，按下表制油。
| 路线 | 输入 → 输出 | 原始参数 |
|---|---|---|
| LV 蒸馏室，电路 24 | 25 L 杂酚油 → 8 L 润滑油 | 30 EU/t，3 秒 |
| LV 蒸馏室，电路 24 | 8 L 种子油或鱼油 → 2 L 润滑油 | 30 EU/t，1 秒，两张替代配方 |
| 已有酿造室后 | 750 L 杂酚油 + 1 滑石粉 / 皂石粉 / 红石粉 → 750 L 润滑油 | 4 EU/t，6.4 秒，粉末三选一 |
有酿造室后优先用杂酚油＋粉末路线，粉末三选一、每批消耗一份。 固定版本蒸馏润滑油 · 酿造润滑油
首批做半桶润滑油： 蒸馏 1575 L 杂酚油得 504 L 油，可供下面普通单晶硅的 9 L 配方切割 56 次。换液前抽空切割机里的水。
单晶硅、晶圆和 ULPIC：把半导体链打通
先备多晶硅、小型砷化镓晶体、切割机和绿色透镜，再拉第一根单晶硅。
| 步骤 | 配方 | 关键条件 |
|---|---|---|
| 拉单晶 | 32 太阳能级硅粉 + 1 小型砷化镓晶体 → 1 普通单晶硅 | EBF 电路 2，1784 K，120 EU/t，450 秒 |
| 切晶圆 | 1 普通单晶硅 + 37 L 水 → 16 普通晶圆 + 4 太阳能级硅粉 | 切割机，30 EU/t，40 秒；也有蒸馏水/润滑油版本 |
| 刻 ULPIC 晶圆 | 1 普通晶圆 + 绿色透镜 → 2 ULPIC 晶圆 | 激光蚀刻，30 EU/t，30 秒；透镜是保留工具 |
| 切芯片 | 1 ULPIC 晶圆 → 6 ULPIC 芯片 | 切割配方，基准 120 EU/t；实际冷却液版本影响时间 |
单晶硅切割还有 28 L 蒸馏水、40 秒和 9 L 润滑油、20 秒版本；这里的时间仍是未超频值。加工链中回收的 4 多晶硅粉可以回到高炉，别误当废料。
一根单晶硅用掉 32 多晶硅粉，切割返回 4 粉，净消耗 28 粉；还消耗 1 个小型砷化镓晶体。切出的 16 张普通晶圆若全部用于 ULPIC，最终可得 192 个芯片。
第一根先拿 4 张普通晶圆做 ULPIC，供能源仓和电路；其余 12 张留作其他芯片。LPIC 用另一套透镜，配方分开收藏。返还的 4 粉送回高炉；一块完整砷化镓晶体拆成四份，可供四根单晶硅。
来源：GT5 高炉、切晶圆、激光蚀刻、CoreMod 切芯片。